“英特尔美光公布新存储芯片 解决速度是现有芯片千倍”

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英特尔

凤凰科技讯北京时间7月29日报道，据《华尔街日报》网络版报道，英特尔和美光科技周二宣布，开发了一种新的存储芯片，可大幅提高电脑、智能手机和其他高科技产品的性能。

英特尔和美光表示，计划明年开始销售这种芯片。 该芯片的解决速度达到了目前许多移动设备上使用的nand闪存芯片的1000倍，可存储的数据容量是主流dram存储器芯片的10倍。

这个技术被称为3d xpoint，虽然以解决速度还不能充分接近dram芯片，但就像nand闪存芯片一样，电源切断后也可以保留数据。 虽然英特尔和美国对3d xpoint的技术细节(包括他们采用的重要资料)不太清楚，但表明他们采用了自己的存储数据的方法。

英特尔和美国的高管预计，新芯片的速度将产生新的APP应用，从而使行业受益。 什么功能模型尤其适用于基于大量数据的APP，如语音识别、金融欺诈检测和基因组学？

这确实是革命性的技术，美光ceo标志·； 迪肯( mark durcan )周二在技术发表活动上做了以下发言。 英特尔高级副总裁鲍勃·； 卢克( rob crooke )说，这是很多人认为不可能实现的技术。

但是，这项新技术的重要性和独创性可能会维护争论。 近年来，许多其他企业宣布已经在存储器芯片开发方面取得了重要进展。 创业企业crossbar战术营销和商业开发副总裁萨尔文·； 杜波斯( sylvain dubois )表示，英特尔和美光似乎效仿了电阻式ram技术的要素。 这听起来像是我们已经拥有的技术。 杜波斯说。

其他公司，如ever spin技术公司，也相信在为稳定的数据存储芯片提供dram级别的速度方面，切断了先机。

英特尔和美国计划初期生产能够存储128gb数据的双层芯片( two-layer chip )，这种存储容量与现有的一些nand芯片相当。 随着芯片内电路数量的增加，英特尔和美国计划今后增加芯片的存储容量。

参加这次技术发布活动的拆迁师周二表示，硬件设计师决定如何采用或不采用这项技术需要时间。 英特尔和美光表示，目前技术向产品提供的速度提升远远小于新芯片。 (编译/箫雨) )。

来源：UI科技日报