“高通宣布骁龙835解决器：使用三星10nm工艺，支持QC4.0快充”

本篇文章369字，读完约1分钟

11月17日，高通刚刚发布了下一代英龙解决方案——英龙835，高通的英龙835芯片将于年初发布。 这是为了支持最新的quick charge 4.0快速充电技术，基于三星的10nm制造技术制作的。 高吞吐量835解决方案将取代高吞吐量821/820，成为高吞吐量企业的顶级移动解决方案。

虽然目前高通还没有发布越来越多的高通量835的消息，但是10nm工艺带来了更好的性能领先，提高了功率效率，对于高通量820是根据14nm制造工艺构建的

引用新闻的话，三星表示10纳米工艺比14纳米芯片速度快27%，效率提高40%。 高通量835下的具体数值需要以后知道。 但是，高通量835芯片的面积肯定会变得更小。

三星galaxy s8预计将成为首款配备高通835解决方案的高端智能手机设备，lg和htc也将推出配备高通835的高端智能手机。

来源：UI科技日报