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随着全球基金和联电停止先进半导体技术的研发、投资,全球能研发7nm以下技术的半导体企业只有英特尔、台湾积体电路制造和三星。 但是,英特尔可以被排除在代工厂之外,其他无晶圆企业只能选择三星和台湾积体电路制造。 其中,台湾积体电路制造以7nm节点大获全胜,流片7nm芯片有50+以上。 三星近年来也以代工业务为要点,此前曾豪言要以25%的代工市场为目标,今年三星公布了未来的工艺流程路线图。 目前,在日本技术论坛上,三星再次更新半导体工艺路线图,今年发布7nm euv工艺,明年有5/4nm euv工艺,每年发布3nm euv工艺,晶体管类型也将从finfet过渡到gaa结构。

“三星:明年推5/4nm EUV工艺,2020年上马3nm GAA工艺”

三星电子4日在日本召开了三星晶圆代理论坛日本会议,简称sff japan。 这是三星第二次在日本召开代办会议。 日本的pcwatch网站介绍了三星这次会议的主要文案,三星的口号是最可靠的代工工厂,公布了三星在晶圆代工方面的最新路线图。

“三星:明年推5/4nm EUV工艺,2020年上马3nm GAA工艺”

三星高管在年后半年发布了7nm finfet euv工艺,8nm lpu工艺也开始了风险试制,2019年发布了5/4nm finfet euv工艺,以rf射频、emram等芯片产品为主要对象18 nm

三星每年推出3纳米EUV工艺,晶体管结构也发生了很大变化,从现在的finfet变成了gaa(gate-all-around )结构,GAA作为7纳米节点后取代finfet晶体管的新一代技术候选人而闻名,

三星在这次论坛会议上表示,他们首次大规模量产了euv工艺。 这是毫无疑问的。 台湾积体电路制造在第二代7nm工艺n7+中采用euv工艺,但三星激进,7nm节点直接采用7nm工艺,未来的5/4/3nm节点也将全面采用euv工艺。

三星表示,他们在韩国华城的s3 line生产线上配置了asml的nxe3400 euv光刻机。 据悉,该生产线原本用于10nm工艺,目前正在改造,目前的euv产能达到了大规模生产的标准。

另外,三星正在建设与s3生产线不同的全新生产线。 这是专门用于euv工艺的,预计2019年底全面完成,euv全面量产计划将于年完成。

对三星来说,他们的7nm客户有谁很重要,特别是在台湾积体电路制造夺走了大部分7nm订单的情况下,原文作者认为台湾积体电路制造的7nm产能不可能全部承担7nm订单。 三星仍然有机会夺走顾客。 他强调说,这是推测某企业新一代的gpu有可能由三星代理,但这是自己的推测。

“三星:明年推5/4nm EUV工艺,2020年上马3nm GAA工艺”

在gpu的代工中,三星对nvida的gtx 1050 ti/1050显卡的gp107核心采用14纳米工艺代工。

以下是三星的软件包测试路线图。 现在,三星可以提供foplp-pop、i-cube 2.5d软件包,明年将推出3d sip系统级的软件包。 其中,i-cube软件包现在可以实现4路hbm 2图形内存堆栈。

来源:UI科技日报

标题:“三星:明年推5/4nm EUV工艺,2020年上马3nm GAA工艺”

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