“高通骁龙835再曝光：3GHz主频 8核设计”

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高通的旗舰解决方案骁龙835已经多次曝光，三星的10nm工艺将用于此解决。 目前，有网友曝光驲龙835的标准参数，称驲龙835主频为3.0ghz，使用八核设计。

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yinglong835使用10nm的8核设计，大核心都是kryo架构，大核心频率为3ghz，小核心频率为2.4ghz，gpu为Adre no 540，4k屏，ufs 2.1，双

高通方面还表示，骁龙835解决方案将支持新的快速充电4.0快速充电技术。 其充电5分钟即可延长手机采用时间5小时，充电效率比以前增加了30%。 此外，qc 4.0还集成了对usb-c和usb-c (电力输送)的支持，适用范围更广。

高通表示将搭载骁龙835于明年年初上市，但能看到骁龙835手机将于明年第二季度上市。 该业内人士推测，此次高通与三星联合开发，很可能意味着三星新一代旗舰机型galaxy s8将率先推出835。 早前的信息表明，三星s8的发布会时间为mwc年前，也就是年2月26日前后。 此外，根据此前的手机生产流程，三星目前正在向零部件供应商下单发货，生产工作将于年底前开始。

除了yinglong835之外，还有明年发表的yinglong660。 该解决方案同样是8核设计，但流程改为14纳米，架构为a73和a53的组合，gpu为adreno 512，支持2k屏幕。 其他规范还包括双通道lpddr4x存储器、lte cat.10基带、qc4.0、ufs 2.1等。

人员表示，搭载骁龙660的手机有望在明年第三季度与我们见面。

来源：UI科技日报