“新一代高通骁龙835/660解决器抢先看”

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在手机解决方案中，高通无疑占领了最有利的市场，拥有多项通信技术专利，使其成为领域的垄断者，每次在旗下推出新的英勇解决方案都备受瞩目。 日前，高通在香港召开的技术峰会上宣布了新的骁龙解决器和新的基带。 另外，还明确了x16基带的商用情况和5g x50基带的情况。

下一代的勇敢解决方案

高通在香港召开的技术峰会上提供了骁龙653、骁龙626、骁龙427三个中端解决方案

驲龙65x和驲龙82x的参数

驲龙653:符号使用msm8976 pro、4核a72 4核a53设计了，使大核频率从652的1.8ghz上升到1.95ghz 内存的支持容量从6gb提高到了8gb。 基带升级为lte x9，入住速度从100mbps升级为150mbps，支持qc3.0快速充电。

骁龙6xx参数为

(/s2/)驸龙626 )/s2/)符号msm8953 pro，即625的升级版。 )/s2/)的主频率从2ghz升级到2ghz )/s2/)，基带升级到lte x9，支持蓝牙4.2，其他参数基本一致，使用14nm

( [] )驸龙427 )/s2/ )符号MSM8920、4*a53、主频率1.4ghz、adreno 308图形解决方案、lpddr3内存、基带为x6至x9、110

驲龙835和驲龙660参数

( [] () ) ) ) ) ) )0)/s2/ )符号msm 8976 plus是当前的高通量高端解决方案( ) ) ) 652、653的继承人，同样是a73 a53 ()也有记载为自己家的kryo框架的传言。 (、4*2.2GHz4基带也升级到了lte x10，gpu也升级到了adreno 512，支持qc4.0快速充电技术。

(/s2 ) )驲龙835 ) )符号msm 8998是取代驲龙820/821的未来高吞吐量的高端产品。 使用自主的kryo 200 4 4处理器体系结构。 使用三星10纳米工艺支持4通道lpddr 4x。 基带也升级到了lte x16，gpu采用了adreno 540，预计最先进的机型是三星Galaxys 8，支持qc4.0快速充电技术。

非旗舰解决方案体系结构不变，仍然会逐步提高频率

从目前的规律来看，位于中端的勇敢解决方案在体系结构上变化不大，仍然是通过提高频率来首先提高频率，然后略微提高性能。 例如，最近的骁龙625即将发表的626在不改变cpu架构的情况下只提高了主频率，骁龙653和骁龙652的情况也是如此。

龙解决方案公司

但是，这种情况可能会维持到明年中旬。 但是，到了年年中旬，新体系结构的中端勇敢解决方案(如a73而不是a72 )预计将出现。 如果顺便升级流程，大幅提高性能，勇敢的660就是一个很好的例子。 另一方面，高端系列的驲龙8xx系列，如驲龙835，将进行大规模血液交换，工艺、框架、基带等全部进行大规模升级。

龙骁625

ram/rom支持升级，基带正常升级

对于ram支持，新的中端653将ram从6gb升级到8gb，通过提高数字来满足市场诉求等新的解决方案得到了改进。 竞争对手的中端解决方案heliop20从支持容量上开始支持比65x的lpddr3先进得多的lpddr4x，许多客户不知道内存代数，因此在基带方面不知道容量

helio p20解决方案

总结: [/s2/]

其实这次高通的转型也只是小修补，还没有扩大招聘。 除了高端产品勇敢的835之外，要面对竞争更加激烈的中端市场，还需要看到a73 a53 (或自主架构)、使用14纳米工艺的中端勇敢的660 )以及之后的)大屠杀机。

来源：UI科技日报